Компания Samsung запустила в производство первую трехмерную технологию v-nand-память

Всемирно известная компания Samsung официально начала массовое производство первой в мировой индустрии nand-памяти с трехмерной упаковкой чипа и вертикальным расположением ячеек.

Компания утверждает, что новинка позволяет преодолеть имеющиеся ограничения масштабируемости памяти. Nand флэш-память отличается выгодным соотношением размера и производительности.

Данную технологию планируют применять в потребительской электронике и корпоративных приложениях.

Samsung V-NAND – первый такой чип, объём которого 120 Гбит.

Данный чип использует технологию CTF, которая способна обеспечить высокую надежность работы, а заодно и снижает стоимость флэш-памяти, в сравнении с классическими ячейками.

Последние сорок лет флэш-память создается на базе плоских однослойных структур. Она представляет собой ячейку с плавающим затвором. Но на сегодняшний день остро встала необходимость в новых технологиях, так как попытки решить возникающие проблемы старыми классическими технологиями привели лишь к затратам времени и стоимости чипов.

Новинка компании Samsung Electronics v-nand позволила решить почти все технические проблемы и вышла на новый уровень производства и разработки чипов nand. Это стало возможным благодаря инновациям в схемотехнике и производственном процессе. Для этого компания потратилась на обновление, разработанной в 2006 году, технологии CTF.

Используемая в новой технологии, трехмерная структура слоев значительно повышает надежность памяти. Испытания показали увеличение надежности до десяти раз, к тому же существенно увеличилась скорость записи.

Важным технологическим достижением данной разработки является вертикальное расположение ячеек, которое даёт возможность объединить до двадцати четырёх слоев в одном чипе. Определённая технология травления формирует вертикальные проводящие каналы, которые соединяют все слои, от верхнего до нижнего.

Таким образом, разработанная компанией Samsung технология даст возможность выпускать флэш-память с более значительной емкостью, высокой скоростью записи и более низкой стоимостью.